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日本電子電鏡鏡筒結構組成

更新時間:2021-09-10      點擊次數(shù):1546
  既然是光源限制了顯微鏡的放大倍數(shù)和分辨率的發(fā)展,那么要想提高顯微鏡的放大倍數(shù)和分辨率,就應該更換波長更短的光源。隨著人們對電磁波的認識,人們了解到:在一定的電壓下電子束的波長可以達到零點幾個納米,使用電子束做為光源,顯微鏡的分辨率就可能提高幾個數(shù)量級。
  日本電子電鏡是根據(jù)電子光學原理,用電子束和電子透鏡代替光束和光學透鏡,使物質的細微結構在非常高的放大倍數(shù)下成像的儀器。
  電子源:發(fā)射并形成速度均勻的電子束;
  電磁透鏡:用來聚焦電子;
  真空裝置:保障顯微鏡內(nèi)的真空狀態(tài),使電子在其路徑上不會被吸收或偏向;
  樣品架:固定樣品、改變樣品(如轉動、加熱、降溫、拉長等)的裝置;
  探測器:收集電子的信號或次級信號。
  日本電子電鏡鏡筒結構:頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發(fā)射出、通過兩個聚光鏡使電子束聚焦。電子束通過樣品后由物鏡成像于中間鏡上,再通過中間鏡和投影鏡逐級放大,成像于熒光屏或照相底版上。
  中間鏡的兩個功能:①通過勵磁電流的調(diào)節(jié),放大倍數(shù)可從幾十倍連續(xù)地變化到幾十萬倍;②改變中間鏡的焦距,即可在同一樣品的微小部位上得到電子顯微像和電子衍射圖像。
  日本電子電鏡特點:
  ·以電子束透過樣品經(jīng)過聚焦與放大后所產(chǎn)生的物像,投射到熒光屏上或照相底片上進行觀察。
  ·由于電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須制備超薄切片(通常為50~100nm)。
  ·電子束投射到樣品時,可隨組織構成成分的密度不同而發(fā)生相應的電子發(fā)射,如電子束投射到質量大的結構時,電子被散射的多,因此投射到熒光屏上的電子少而呈暗像,電子照片上則呈黑色,稱電子密度高。反之,則稱為電子密度低。

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